使用忆阻器制成的存储器——电阻式随机存储器（ReRAM）是非挥发性的，这意味着断电后，其仍能够保存数据。而DRAM存储器在电源切断后，其内存储的数据会丢失。

　　目前，惠普公司的科学家在实验室中使用15纳米生产工艺和多层设计，将4层存储器存储单元逐层堆栈，构建出了几款存储器模型，其存储密度为12GB/每平方厘米。该忆阻器存储器有望于2013年年中进行商业化生产。

　　忆阻器是科学家目前正在研发的、有望取代闪存和DRAM的几种存储器中的一种。随着芯片上存储单元的“块头”越来越小，它们越来越逼近其物理极限，科学家很难获得更高的存储密度。威廉姆斯表示，闪存可能最先达到其规模极限，其寿命最多为4年，或许只还会有1到2代新闪存“面世”；DRAM的寿命要长一点。