GaN 功率芯片的特点和技术优势
GaN（氮化镓）的特性与传统Si（硅）有很大区别，例如开关速度比Si 快20 倍，体积和重量更小，某些系统里可以节能约40%。这是非常可观的，对于实现“双碳”目标很有助益。它的功率密度可以提升3 倍，如果搭配快充方案，充电速度提升3 倍以上，而且成本也很合理，相比Si 的BOM（物料清单）方案，系统待机节约20% 左右。
为何GaN 过去没有受到重视？
因为20 年前业界才开始开发GaN 材料，而Si 芯片在20 世纪70 年代开始流行，比GaN 早了30 年以上。不过，最近这几年GaN通过设计优化、产能提升、成本控制，慢慢落地应用在消费类、工业类电子产品里。
以目前开拓消费领域的纳微为例，现在已出货3 000 万个GaN 功率芯片，主要应用于消费类产品的充电器，现在全球超过140 款量产充电器采用纳微的方案，大约150 款产品处于研发中。
在价格上，Si 基GaN 的成本在逐渐降低。例如纳微的产品成本和价格已经非常接近Si 了，预计2022 年末到2023 年，在同等Rds（on）时，其GaN 产品可以做到和Si 成本相当。但价格不等同成本，会由策略、战略、体量等各方面的因素决定，但是也会随着成本而变化。
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