高功率密度电子器件基板材料的制备与性能调控研究启动
10月28日，国家重点研发计划项目“高功率密度电子器件基板材料的制备与性能调控研究”启动会在上海召开。国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“高功率密度电子器件基板材料的制备与性能调控研究”由中国科学院合肥物质科学研究院牵头，中科院深圳先进技术研究院、半导体研究所、上海硅酸盐研究所、北京有色金属研究总院、上海交通大学、清华大学深圳研究生院和安徽大学8所高校和研究所共同承担，项目负责人为研究员田兴友。
“高功率密度电子器件基板材料的制备与性能调控研究”项目面向高功率密度电子器件的前沿热管理材料，针对高功率密度电子器件散热的瓶颈问题，围绕界面微区特性对载荷传递与能量交换影响机制、空间拓扑结构对宏观力学与热物理性能影响机制、面向多相复合材料的导热理论与性能预测模型完善等关键科学问题，开展深入系统的基础研究，显著提升材料的热物理和力学性能，扩大基板的选材和设计裕度，研制出应用于多维电子器件及电子器件热点处近场、满足不同梯度应用需求的基板材料，形成包括新型聚合物基、金属基和陶瓷基基板，储热型和耐热湿型热管理材料等若干新材料体系及其优化设计与可控制备技术原型，建立多相复合材料的导热理论与性能预测模型，通过器件集成验证，实现高频瞬间器件热点温度、多维电子器件热点温度、高功率（≥1000 W/cm2）热点处温度降低。
启动会上，田兴友从项目的意义、内容、目标、技术等方面进行了总体汇报。四个课题负责人分别就各自承担课题的研究任务、总体目标、实施方案、研究队伍等进行了详细汇报。项目责任专家组和咨询专家组对项目和各课题的相关研究内容进行研讨，对项目实施方案和内控制度给予了充分的肯定，并从项目研究目标、应用环境细化以及应用前景等方面提出了宝贵的意见和建议，对项目实施方案提出了报告的修改意见和建议。
会议现场
