研究人员基于密度泛函理论计算，发现δ相的二维SnO2（δ-SnO2）能稳定存在，且是一种具有平面内负泊松比（ν=-0.11）性质的单层材料，而负泊松比的形成主要由晶格结构对称性与SnO4四面体在低维效应限制下的协同作用造成。同时，该单层SnO2是一种带隙为3.7 eV的间接带隙半导体，电子迁移率可高达103 cm2V-1s-1。SnO2在费米能级附近的价带中呈现出双墨西哥帽状的能带特征。研究人员可通过空穴载流子掺杂方式诱导体系发生铁磁相变，它在较宽的掺杂浓度范围内能够表现半金属性。Stoner机制可解释这种磁性相变。此外，通过改变空穴载流子掺杂浓度还可实现二维XY磁体和Ising磁体二者之间的转变，并在适当的掺杂浓度下，其铁磁转变温度可高于室温。研究表明，所预测的SnO2相是p型磁性体系的又一重要例子，同时也说明所预测的SnO2二维相在纳米力学和低维自旋电子学方面具有应用前景。