用于深紫外应用的抗紫外光纤
用于深紫外应用的抗紫外光纤
大多数使用光纤的光谱学应用一般都被限制在230nm波长范围以上，这是因为标准的具有未掺杂纤芯和掺氟包层的石英光纤经常被深紫外光（波长小于 230nm）损坏。这种曝光现象是由光纤吸收214nm波段的光而形成“色心”引起的。当光纤纤芯材料中混入了其它杂质（如CI）时就会产生色心，同时由 于受到紫外辐射的影响而在Si原子中产生了自由电子对。
不久前，经过载氢处理的抗紫外光纤（UVI）被研制出来。但由于H2很容易从光纤中释放出来，所以限制了该抗紫外光纤只能适用于小芯径光纤，而且使用寿命也有限。最近，随着纤芯制作工艺的改进，一种新型光纤（UVM）应运而生。这种光纤可以提供长期的非常稳定的30-40 %的导光效率（215nm）。
所有芯径为50µm, 100 µm, 200 µm, 400 µm, 600 µm和800 µm的光纤探头、光纤和光纤束，都可以为用户提供抗紫外光纤。Avantes制造的所有光纤元件都进行了8小时的预曝光处理，因而可以在215nm处获得 一个30-40%的连续导光效率。
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