【分享】FIB 聚焦离子束分析
FIB介绍
聚焦离子束技术（Focused Ion beam，FIB）是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的离子束轰击材料表面，实现材料的剥离、沉积、注入、切割和改性。随着纳米科技的发展，纳米尺度制造业发展迅速，而纳米加工就是纳米制造业的核心部分，纳米加工的代表性方法就是聚焦离子束。近年来发展起来的聚焦离子束技术（FIB）利用高强度聚焦离子束对材料进行纳米加工，配合扫描电镜（SEM）等高倍数电子显微镜实时观察，成为了纳米级分析、制造的主要方法。目前已广泛应用于半导体集成电路修改、离子注入、切割和故障分析等。、
应用领域
（1）线路修改-在IC生产工艺中，发现微区电路蚀刻有错误，可利用FIB的切割，断开原来的电路，再使用定区域喷金，搭接到其他电路上，实现电路修改，最高精度可达5nm。
（2）产品表面存在微纳米级缺陷，如异物、腐蚀、氧化等问题，需观察缺陷与基材的界面情况，利用FIB就可以准确定位切割，制备缺陷位置截面样品，再利用SEM观察界面情况。
（3）微米级尺寸的样品，经过表面处理形成薄膜，需要观察薄膜的结构、与基材的结合程度，可利用FIB切割制样，再使用SEM观察。
FEI V400
使用设备：FEI V400
可以针对14nm,16nm,28nm, 40nm, 45nm, 65nm, .13um, .18um, .25um, .35um 制程进行线路改造。适用的封装形式BGA, QFN, CSP, WLBGA, Die and board Level, 8” wafer, packaged “flip-chip”
| FIB典型照片 | |
| 观测 | 线路修改 |
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| FIB配合TEM进行复杂操作 | |
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文章引用自正衡检测官网
欢迎各位莅临正衡检测网站讨论咨询http://www.zenh.com/
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