PVD与CVD的区别
PVD：
用物理方法(如蒸发、溅射等)，使镀膜材料汽化在基体表面，沉积成覆盖层的方法。
CVD：
用化学方法使气体在基体材料表面发生化学反应并形成覆盖层的方法。
区别：
化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。它本质上属于原子范畴的气态传质过程。
与之相对的是物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，简称CVD)，指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。它的作用是可以使某些有特殊性能（强度高、耐磨性、散热性、耐腐性等）的微粒喷涂在性能较低的母体上，使得母体具有更好的性能。
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