关注公众号

关注公众号

手机扫码查看

手机查看

喜欢作者

打赏方式

微信支付微信支付
支付宝支付支付宝支付
×

交流阻抗法的导电高分子的EIS的一般特征

2021.6.10

对于导电高分子膜的修饰电极,其EIS 特征类似于多孔电极或氧化还原电极的EIS 的行为,典型的复平面阻抗图的特征为: ⑴ 在高频区有一个由界面电荷转移过程产生的圆心在实轴下的半圆,可用电阻和电容的并联结合来表示。当w →∞,半圆与实轴的交点为R s+ R f,其中R s 和R f 分别表示溶液和膜的未补偿欧姆电阻;
⑵ 中间频率区为电活性物种在膜中的有限扩散引起的W ar-burg 型阻抗,其斜率小于45°;
⑶ 低频区对应于高分子内电荷的饱和所引起的纯电容阻抗。


推荐
关闭