XPS能谱仪--荷电校正（Calibration）
对于绝缘体样品或导电性能不好的样品,光电离后将在表面积累正电荷,在表面区内形成附加势垒,会使出射光电子的动能减小,亦即荷电效应的结果,使得测得光电子的结合能比正常的要高。样品荷电问题非常复杂,一般难以用某一种方法彻底消除。在实际的XPS分析中,一般采用内标法进行校准。最常用的方法是用真空系统中最常见的有机污染碳的C 1s的结合能(284.6 eV)作为参照峰,进行校准。
深度分析过程,剥离到一定深度,污染碳信号减弱或者消失,这时可以通过Ar 2p3/2特征峰或者是样品中稳定元素的特征峰作为参照进行校准。
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