电子束光刻的特点
电子束曝光是用低功率密度的电子束照射电致抗蚀剂，经显影后在抗蚀剂中产生图形的一种微细加工技术。
这种曝光方式分辨率高、掩膜版制作容易、工艺容限大，而且生产效率高，但由于电子束在光刻胶膜内的散射，使得图案的曝光剂量会受到临近图案曝光剂量的影响（即临近效应），造成的结果是，显影后，线宽有所变化或图形畸变。虽然如此，限角度投影式电子束光刻仍是最具前景的非光学光刻。[1]
电子束曝光有投影（又称为电子束面曝光）和扫描（又称为电子束线曝光）两种工作方式。
电子束投影方式与光刻过程类似，是将掩模版上的图形转换成衬底表面介质的图形的过程。
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