超声波发生器高频运用时闭态饱和损耗相关
当晶体管的饱和压降vcS愈小,则放大器的效率愈高,若VCS→0则η→100%。以上是在 电感、电容、晶体管都不计损耗的理想情况下得到的结果,实际上是有损耗的。其损耗主要存在着两类,在高频运用时,其晶体管内部损耗更不容忽视的。
闭态饱和损耗
由(1.101)式可知.晶体管饱和压降愈大则效率越低。理论和实验可以说明,随着频率的升高和功率加大,饱和压降将迅速增大,为了减小饱和损耗,必须选用fT高的晶体管。一般来说,对小功率管(<10w),f≥0.1ft,对于大功率管(>10W) f ≥0.01fT时才需考虑饱和压降的影响。
因为这时饱和压降随频率急剧增大,在大功率时由于电流的增加饱和压降也大大上升,因此D类放大器的效率在这些频率和电流下将急剧下降。
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