ICP-MS分析技术在半导体高纯材料分析中的应用
电感耦合等离子体质谱分析法是将电感耦等离子体(ICP)技术和质谱(MS)技术结合起来， 利用等离子体作为离子源，由接口将等离子体中被 电离了的试样离子引入质谱仪，用质谱仪对离子进行质量分析(按m／Z比值将不同的离子分开)并检测记录，根据所得质谱图进行定性定量分析。
具有以下几个优点：
(1)灵敏度高：ICP-MS仪器的灵敏度一般高 出lCP．AES一到两个数量级，从而对多数元素能达 到更低的检出限：
(2)动态线性范围宽：
(3)可多元素同时分析；
(4)分析速度快，单个样品一般在几秒钟内完成：
(5)分析元素范围广，能分析元素周期表中除碳、氢、氧外的绝大多数元素． 正因为这些优点，使ICP-MS分析技术广泛应 用于半导体工业用高纯材料的痕量杂质分析中．
主要进行的高纯材料分析
1. IC硅片表面杂质分析
2. 光伏多晶硅、单晶硅杂质分析
3. 三氯氢硅、四氯化硅： ICP．MS法测定高纯四氯化硅中们、V、cr、‘ Co、Ni、Cu、Pb、Zn、Mn九种金属元素．
4. 超净赢纯试剂分析：括氢氟酸、硝酸、硫酸、盐酸、氨水、双氧水等超纯无机试剂，和异丙醇(IP：A)、丙酮、四甲基氢氧化铵(TMAH)，N．甲基丙络烷酮 (NMP)、丙二醇甲基醚乙酯(PGMEA)等超纯有机试剂
5. 超纯水分析
6. 高纯气体分析
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