闭环霍尔方案以及磁通门方案——电流传感器（二）
具体地，在结构上同样有原边待测电流Ip（母线中电流），副边反馈电流Is（副边线圈中），同样地，只要让气隙中的总磁通量为0，根据下式可以计算出Ip：
此方案的原理框图如下（来源于LEM官网），前面我们知道了计算电流Ip的方法，即调节副边电流Is，使得气隙处的总磁通量为0，即可得出Ip；那么，我们怎么实时检测气隙处的磁通量，然后调节磁通量为0呢？
这里在气隙处应用了可饱和电感作为探头来识别气隙处的磁通量（下图来源于LEM官网），它是由磁芯与线圈组成的电感探头。
进一步地，气隙处的磁通量大小会影响这个探头的电感量（探头的电感量是受外部磁场影响而变化的），我们只要区别出磁通量为0时的电感大小与磁通量不为0时的电感大小即可。
那么怎么来识别不同磁通量下的电感大小呢？
一种方案是，在电感探头的线圈中通过一个电流Isi（两端施加一个电压源u（t）），它产生的磁通与外部气隙的总磁通（包括了IpIs二者引起的磁通）叠加后作用于电感探头的磁芯上，这个累加后的磁通量会影响电感探头的感量，而电感量与电流大小又相关，所以只要知道Isi的电流怎么受到气隙处的磁通影响就OK了。
省略中间的一些理论性的分析过程，当气隙处的总磁通量为0时，电感探头中的电流如下图，其中虚线代表施加在探头两端的方波电压u（t），实线为电流值i（t）。
当气隙处的总磁通量不为0时，电感探头中的电流波形如下图：所以我们通过检测这个电流值，就可以等效判断出气隙处的总磁通量是否为0，然后通过调整副边线圈中的电流Is，来使得气隙处的总磁通量为0。
总结：
在分析过程中可能省略了一些过程的推导，但整个表述的逻辑是严谨的，大家可以自行查找一下更深入的解释；以上所有，仅供参考。
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