半导体的光电导概述

　　半导体的 光电导是指半导体受光照而引起电导率的改变。最早是1873年W.史密斯在 硒上发现的。 20世纪的前40年内，又先后在 氧化亚铜、 硫化铊、 硫化镉等 材料中发现，并利用这 现象制成几种可用作光强 测量及 自动控制的 光电管。自40年代开始，由于 半导体物理学的发展，先是 硫化铅的，尔后是其他半导体的光电导得到了充分研究。并由此发展了从紫外、 可见到 红外各个 波段的 辐射探测器。研究这种现象也是探索半导体基本性能的重要方法之一。

　　 电导率正比于 载流子浓度及其 迁移率的 乘积。因此凡是能 激发出 载流子的 入射光都能产生光电导。入射光可以使 电子从 价带激发到 导带，因而同时增加电子和 空穴的 浓度；也可以使 电子跃迁发生在 杂质能级与某一 能带之间，因而只增加电子浓度或只增加空穴浓度。前一过程引起的光电导称为 本征光电导，后一过程引起的光电导称为 杂质光电导。不管哪一种光电导，入射光的 光子能量都必须等于或大于与该激发过程相应的 能隙 Δ （ 禁带宽度或 杂质能级到某一能带限的 距离），也就是光电导有一个最大的响应 波长，称为光电导的 长波限λ。