原子发射光谱（ICP/AES）理论知识——自吸自蚀
原子发射光谱（ICP/AES）理论知识（3）——自吸自蚀
谱线的自吸和自蚀
等离子体：以气态形式存在的包含分子、离子、电子等粒子的整体电中性集合体。等离子体内温度和原子浓度的分布不均匀，中间的温度、激发态原子浓度高，边缘反之。宏观上是中性的电离的气体，称为等离子体。
自吸:由弧焰中心发射出来的辐射光，被外围的基态原子所吸收，从而降低了谱线的强度。此现象叫自吸。
I = I0e-ad
I0为弧焰中心发射的谱线强度，a为吸收系数，d为弧层厚度。
自蚀：元素浓度低时，不出现自吸。随浓度增加，自吸严重时，中心部分的谱线 将被吸收很多，从而使原来的一条谱线分裂成两条谱线，这个现象叫自蚀 。
在谱线上，常用r表示自吸，R表示自蚀。在共振线上，自吸严重时谱线变宽， 称为共振变宽
发射光谱分析的特点：
1．相当高的灵敏度。
2．有较好的选择性。
3．准确度较高。
4．能同时测定多种元素，分析速度快。
5．用样量少。
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