原子发射光谱(ICP/AES)理论知识——自吸自蚀

2020年10月16日 16:21:03 来源: 化学先生
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  原子发射光谱(ICP/AES)理论知识(3)——自吸自蚀

  谱线的自吸和自蚀

  等离子体:以气态形式存在的包含分子、离子、电子等粒子的整体电中性集合体。等离子体内温度和原子浓度的分布不均匀,中间的温度、激发态原子浓度高,边缘反之。宏观上是中性的电离的气体,称为等离子体。

  自吸:由弧焰中心发射出来的辐射光,被外围的基态原子所吸收,从而降低了谱线的强度。此现象叫自吸。

   I = I0e-ad

   I0为弧焰中心发射的谱线强度,a为吸收系数,d为弧层厚度。

  自蚀:元素浓度低时,不出现自吸。随浓度增加,自吸严重时,中心部分的谱线 将被吸收很多,从而使原来的一条谱线分裂成两条谱线,这个现象叫自蚀 。

  在谱线上,常用r表示自吸,R表示自蚀。在共振线上,自吸严重时谱线变宽, 称为共振变宽

  发射光谱分析的特点:

  1.相当高的灵敏度。

   2.有较好的选择性。

  3.准确度较高。

  4.能同时测定多种元素,分析速度快。

  5.用样量少。


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