SEM低电压分辨率需要突破
低电压分辨率需要突破
传统扫描电镜在观察非导电样品时，样品表面必须镀导电膜层才能对其进行观察。这种情况下，导电膜会对样品表面真实形貌造成一定程度的掩盖。目前主流的扫描电镜的重要突破之一是，通过降低入射电子的加速电压，就可以不镀导电膜层直接观察非导电样品。
虽然降低加速电压带来了直接观察非导电样品的好处，但是也给电镜生产厂商带来了巨大的挑战。加速电压降低到3kV以下后，带来了一系列问题，主要是会导致电子枪的亮度降低，同时它的色差也会增大。这样，原来细聚焦的电子束“探针”的直径就会显著增加，导致图像分辨率严重降低。这也是自从上世纪六十年代就有学者提出采用降低扫描电镜加速电压以对不导电样品直接观察的理论，但直到2000年后才真正实现商业化的低电压扫描电镜的原因所在。目前主流场发射扫描电镜的低电压分辨率（0.7—1nm@1kV）已经很好地满足不导电样品表征需求，不久前国产场发射扫描电镜也推出了能在低电压下获得图像的最新型扫描电镜，其1kV下的分辨率为3nm。
为了在低电压观察样品的同时不降低图像分辨率，通常的解决方案是通过施加减速电压、镜筒内减速或者单色器技术等。“但是不管哪种方案都涉及到整个电子光学系统的重新设计和加工。施加减速电压以后，就相当于将样品表面作为一级透镜，多了这样一个‘透镜’，电子光学系统的设计就会更复杂，同时对系统的均匀性、稳定性要求就更高，些许的缺陷都会严重影响扫描电镜的低电压分辨率。”曾毅说。
“尽管目前国产扫描电镜占据的市场份额较小，技术指标也和主流电镜有一定差距。但是同主流产品相比并不存在不可逾越的技术鸿沟，如果能加大对自主科研装备的研发投入，同时配以政策引导，相信不久的将来，一定可以看到越来越多的国产扫描电镜出现在我国的科技事业舞台上。”曾毅说。
