共沉淀的工作原理
表面吸附
吸附共沉淀(adsorption coprecipitation)是由于沉淀表面吸附引起的共沉淀。
在沉淀晶格内部，正负离子按照一定的顺序排列，离子都被异电荷离子所饱和，处于静电平衡状态。而处于沉淀表面，棱角的离子电荷未达到平衡，它们的残余电荷吸引了溶液中带相反电荷的离子。沉淀颗粒越小，表面积越大，吸附溶液里异电荷离子的能力就越强。
这种吸附是有选择性的，遵循吸附规则：
与构晶离子生成溶解度小的化合物的离子优先吸附。例如：用过量的氯化钡与硫酸钾溶液作用时，生成了硫酸钡。在硫酸钡的表面优先吸附钡离子，使沉淀表面带上了正电荷，再吸附溶液里的异电荷离子氯离子，构成中性双电层。氯化钡过量越多，吸附共沉淀也就越严重，若用硝酸钡代替氯化钡，且过量程度相同，则硝酸钡的吸附共沉淀会更严重，这是因为硝酸钡的溶解度小于氯化钡。
浓度相同的离子，带电荷越多的离子，越容易被吸附。
电荷相同的离子，浓度越大，越容易被吸附。同时沉淀的总表面积越大，温度越低，吸附杂质量越多。
包埋或吸留
包埋共沉淀(occlusion coprecipitation)是由于沉淀形成速度快，吸附在沉淀表面的杂质或者母液来不及离开，被随后长大的沉淀所覆盖，包藏在沉淀内部引起的共沉淀。如生成硫酸钡时，在沉淀中包埋有大量的阴离子。由于硝酸钡的溶解度小于氯化钡，因此，硝酸钡被包藏的量一般更多。晶体成长过程中，由于晶面缺陷和晶面生长的各项不均匀性，也可将母液包埋在晶格内部的小孔穴中而共沉淀。
生成混晶或固溶体
混晶共沉淀(mixed crystal coprecipitation)是如果被吸附的杂质与沉淀具有相同的晶格，相同的电荷或者离子半径，杂质离子可以进入到晶格排列引起的共沉淀。例如：硫酸钡与硫酸铅，氯化银与溴化银都可以形成混晶，这种混晶称为同形混晶。
高锰酸钾可以随硫酸钡沉淀形成而进入硫酸钡沉淀的晶格，使沉淀显粉红色，用水洗涤不褪色，说明虽然两者电荷不同，但离子半径接近，可以生成固溶体。有些混晶，杂质离子或者原子并不位于正常晶格的位置上，而是位于晶格空隙中，这种混晶称为异性混晶。
