ICP-AES影响等离子体温度的因素
影响等离子体温度的因素有：
①载气流量：流量增大，中心部位温度下降。
②载气的压力：激发温度随载气压力的降低而增加。
③频率和输入功率：激发温度随功率增大而增高，近似线性关系，在其他条件相同时，增加频率，放电温度降低。
④第三元素的影响：引入低电离电位的释放剂的等离子体，电子温度将增加。
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影响等离子体温度的因素有：
①载气流量：流量增大，中心部位温度下降。
②载气的压力：激发温度随载气压力的降低而增加。
③频率和输入功率：激发温度随功率增大而增高，近似线性关系，在其他条件相同时，增加频率，放电温度降低。
④第三元素的影响：引入低电离电位的释放剂的等离子体，电子温度将增加。
