P-N结半导体探测器的类型
扩散结(Diffused Junction)型探测器
采用扩散工艺——高温扩散或离子注入 ；材料一般选用P型高阻硅，电阻率为1000；在电极引出时一定要保证为欧姆接触，以防止形成另外的结。
金硅面垒(Surface Barrier)探测器
一般用N型高阻硅，表面蒸金50～100μg/cm2 氧化形成P型硅，而形成P-N结。工艺成熟、简单、价廉。
存在的矛盾
由于一般半导体材料的杂质浓度和外加高压的限制，耗尽层厚度为1～2mm。 对强穿透能力的辐射而言，探测效率受很大的局限。
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