二次电子像的特点
(1)能量小于50eV，在固体样品中的平均自由程只有10～100nm。在这样浅的表层里，入射电子与样品原子只发出有限次数的散射，因此基本上未向侧向扩散；
(2)二次电子的产额强烈依赖于入射束与试样表面法线间的夹角a , a大的面发射的二次电子多，反之则少。
推荐
关注公众号
手机查看
(1)能量小于50eV，在固体样品中的平均自由程只有10～100nm。在这样浅的表层里，入射电子与样品原子只发出有限次数的散射，因此基本上未向侧向扩散；
(2)二次电子的产额强烈依赖于入射束与试样表面法线间的夹角a , a大的面发射的二次电子多，反之则少。
