含卤素、硫、磷、硅等元素的有机化合物的红外特征吸收
1、有机卤化合物：
在有机卤化合物中C-X键的伸缩振动吸收很强，随着卤原子量的增大，吸收带的位置向低波数移动。当两个以上卤原子连接在同一碳原子上时，有对称伸缩振动和不对称伸缩振动两种吸收带。
2、有机硫化合物
以S-O键伸缩振动吸收最强（ 900-700cm-1 ）较易识别，其它以S-H键（ 2600-2550cm-1 很弱）；S-C（ 700-590cm-1 此键的吸收很弱，位置易变，难以利用），亚砜的S=O键伸缩振动吸收位于（1060-1040 cm-1 ）是强吸收；砜的-SO2-基在（ 1340-1290 cm-1 ）和（ 1160-1135 cm-1 ）区，分别为不对称伸缩振动和对称伸缩振动吸收带。
磺酸卤RSO2Cl的-SO2-基在（ 1385-1340 cm-1 强）和（ 1185-1160 cm-1 强）区，分别为不对称伸缩振动和对称伸缩振动吸收带。
磺酸RSO3H的1385-1340 cm-1中等）区，分别为不对称伸缩振动和对称伸缩振动吸收带，S-O伸缩振动吸收带在（ 700-810 cm-1 强）。磺酸酯RSO2 OR’的（ SO2-基在（ 1390-1290 cm-1 强）和（ 1190-1120 cm-1 强）
3、有机磷化合物
显示特征的吸收带有：P -H、P = O、P -C的伸缩振动吸收带。
P -H 的伸缩振动吸收在（ 2425 -2325cm-1 ）峰形尖，位置恒定，受分子其余部分结构影响较小，具有中等强度。
P = O 的伸缩振动吸收在（ 1300 -1140cm-1 ），也是一个强吸收带。
P – C 的伸缩振动吸收：
Ph – P 出现在（ 1450 -1420cm-1 ）； P -CH3 出现在（ 1320 -1280cm-1 ）。
4、有机硅化合物：
较为典型的特征吸收带为：Si -H, Si -O, Si -C 等的伸缩振动吸收带。
Si-H的伸缩振动吸收在（ 2230-2150cm-1 ）是一个尖锐的强吸收带。
硅醚在（ 1100-1000cm-1 ）区至少会出现一个由Si-O-Si的不对称伸缩振动引起的强吸收。
Si-C的伸缩振动吸收在（ 896-690cm-1 ），具体的吸收位置可由硅原子上的取代基来确定。
由于硅原子连接基团的位置十分特征，所以在结构分析上很有用。各种典型特征吸收可查有关书。
