XPS表征的是样品的表面还是体相?
XPS是一种典型的表面分析手段。其根本原因在于:尽管X射线可穿透样品很深, 但只有样品近表面一薄层发射出的光电子可逃逸出来。
样品的探测深度(d)由电子的逃逸深度(λ, 受X射线波长和样品状态等因素影响)决定,通常,取样深度d = 3λ。对于金属而言λ为0.5-3 nm;无机非金属材料为2-4 nm; 有机物和高分子为4-10 nm。
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样品的探测深度(d)由电子的逃逸深度(λ, 受X射线波长和样品状态等因素影响)决定,通常,取样深度d = 3λ。对于金属而言λ为0.5-3 nm;无机非金属材料为2-4 nm; 有机物和高分子为4-10 nm。