而在最新研究中，科学家们摒弃了薄膜，让一个细小的、排列紧凑的III—V族化合物半导体组成的纳米线阵列垂直在硅晶圆上生长。李秀玲表示：“这种纳米线几何图形通过使失配应变能真正通过侧壁消失，从而更好地摆脱了晶格匹配的限制。”

　　科学家们发现了让不同铟、砷、镓组成的III—V族半导体生长所需要的不同环境。最新方法的优势在于，他们可以使用普通的生长技术而不需要特殊的方法让纳米线在硅晶圆上生长，也不需要使用金属催化剂。

　　这种纳米线的几何形状能通过提供更高的光吸收效率和载荷子收集效率来增强太阳能电池的性能，其也比薄膜方法用到的材料更少，因此降低了成本。

　　李秀玲相信，这种纳米线方法也能广泛地用于其他半导体上，使得其他因晶格失配而受阻的应用成为可能。其团队很快将展示优质高效的、基于纳米线的多结点串联太阳能电池。