利用不同元素X射线光子特征能量不同特点进行成分分析锂漂移硅能谱仪Si(Li)框图加在Si(Li)晶体两端偏压来收集电子空穴对→（前置放大器）转换成电流脉冲→（主放大器）转换成电压脉冲→（后进入）多通脉冲高度分析器，按高度把脉冲分类，并计数，从而描绘I－E图谱。

　　当特征能量ΔΕ的X射线光子由Si(Li)检测器收集时，在Si(Li)晶体内将激发出一定数目的电子—空穴对。

　　假定产生一个空穴对的最低平均能量为ε（固定的），则由一个光子造成的空穴对数目为：

　　N — 一个X射线光子造成的空穴电子对的数目

　　ε — 产生一个空穴对的最低平均能量

　　ΔΕ — 特征能量

　　工作过程

　　加在Si(Li)晶体两端偏压来收集电子空穴对→ （前置放大器）转换成电流脉冲→ （主放大器）转换成电压脉冲→ （后进入）多通脉冲高度分析器，按高度把脉冲分类，并计数，从而描绘I－E图谱。