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太赫兹频段的高Q微腔激发的新结构图

2018.5.30

上海理工大学庄松林院士研究团队陈麟副教授和朱亦鸣教授、美国俄克拉荷马州立大学张伟力教授、东南大学崔铁军教授等,除了在太赫兹频段人工粒子的Fano效应中取得重要进展外,该课题组去年还提出了一种太赫兹频段的高Q微腔激发的新结构(图2(a)),用容易激发的C型谐振腔来间接激发暗态的微腔模式,并在实验中观察到了不同阶数的微腔模式(图2(b))。


该成果发表在NatureGroup出版集团的ScientificReports期刊(ScientificReports, 6, 22027 (2016)),美国加州大学伯克利分校研究人员J.-H.Kang在邀请的综述文章《LocalEnhancement of Terahertz Waves in Structured Metals》(IEEETransactions on Terahertz Science and Technology,6(3), 371-381,2016)中对这项工作进行了详细介绍,并认为这是spoofplasmon领域的重要工作,该文章已被美国NotreDame大学,加拿大蒙特利尔理工学院,英国伦敦大学,意大利比萨NEST纳米科学研究所等研究机构引用14次。

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图2(a) 结构及扫描电镜图;(b)激发出的阶数不同的微腔模式



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