天美讲堂丨如何计算半导体材料禁带宽度
紫外可见漫反射介绍
漫反射光是指从光源发出的光进入样品内部,经过多次反射、折射、散射及吸收后返回样品表面的光,漫反射光谱主要与物质的电子结构有关。
对于不透明样品,如粉末等材料,无法采用直射光系统测试并进一步了解其性能,需要借助积分球测试其漫反射光。漫反射光是与样品内部分子作用以后的光,携带有丰富的样品电子结构和组织信息。
半导体禁带宽度介绍
半导体是指常温下导电性能处于导体和绝缘体之间的材料,具有一定的带隙。通过采用适宜的光激发半导体材料,能使其激发价带的电子到导带,产生电子与空穴对,而导带低端与价带顶端能量差距就是带隙大小。通过对半导体能带结构的测试,能对其光电性能进行解析。采用紫外可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)测试是计算带隙值的一种方法。
紫外可见漫反射测试及带隙计算示例
以粉末样品为例,采用天美 UV2600 紫外可见分光光度计和 IS2600 积分球测试,积分球粉末池有正反两个凹槽的设计,分别能满足常规样品量和微量样品的测试,而且粉末池凹槽上面有石英窗,避免了样品粉末可能掉入仪器或积分球内导致出现污染的情况出现。
先用标准白板进行基线测试(R%模式),然后对样品进行漫反射测试,得到样品的紫外可见漫反射光谱。
由漫反射定律也即Kubelka – Munk 函数可知:
F(R) = (1-R)2 / 2R = K / S
这里R, K, S 分别代表样品的反射系数,吸收系数和散射系数
另外,基于Tauc, Davis 和Mott 等人提出的公式,俗称 Tauc plot:
(hν*α)n = A(hν - Eg)
其中,h 为普朗克常数;ν 为频率;A 为常数;α 为吸收指数;Eg 为半导体禁带宽度
这里的 n 对于间接带隙型半导体 n=1/2;对于直接带隙型半导体 n=2
F(R∞)正比于吸收系数α,在Tauc方程中可以用 F(R∞)代替 α,因此,上式可转变为:
[F(R)*hv]n = A(hv - Eg)
然后以 hv 为横坐标,(F(R∞)*hv)n 为纵坐标画图,当(F(R∞)*hv)n = 0 时,对应的横坐标 hv 即为Eg值的大小。如下图某直接型半导体材料示例:
具体数据处理方法示例:
根据 UV-Vis DRS 数据(横坐标为波长,纵坐标为反射率),见下面表格,那么:
横坐标就转换为D列数据:hv=1240/波长,单位为 eV
纵坐标就转换为F列数据,F(R∞) = (1-R)2 / 2R,其中R为反射率数值,也即是表格中B列/100 得到
由表格数据可得到纵坐标和横坐标的关系图,根据直线外推法与横坐标的交点即为 Eg值。
结论
以上是采用天美紫外可见分光光度计 UV2600+积分球 IS2600 进行半导体材料禁带宽度计算的详细过程示例,说明采用天美紫外可见分光光度计 UV2600+积分球 IS2600 能对半导体粉末材料进行漫反射测试,并反应材料的电子结构信息和光吸收性能等。
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