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功率器件参数测试
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| 参考报价： | 面议 | 型号： | 功率器件参数测试 |
| 品牌： | 广电计量 | 产地： | 广州 |
| 关注度： | 暂无 | 信息完整度： |  |
| 样本： | 暂无样本 | 典型用户： | 暂无 |
广电计量积极布局第三代半导体功率器件的测试业务，引进国际先进的测试技术，为功率半导体产业上下游企业提供器件参数检测服务，助力器件国产化、高新化发展。测试项目包括：静态参数、动态参数、热特性、雪崩耐量、短路特性及绝缘耐压测试；设备支持0-1500A，0-3000V的器件参数检测，覆盖MIL-STD-750，IEC 60747系列，GB/T29332等标准。
服务介绍
随着技术发展，第三代半导体功率器件开始由实验室阶段步入商业应用，未来应用潜力巨大，这些新型器件测试要求更高的电压和功率水平，更快的开关时间。
测试周期：
根据标准、试验条件及被测样品量确定
产品范围：
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半导体器件等分立器件，以及上述元件构成的功率模块
测试项目：
| 静态参数 | 符号 |
| Drain to Source Breakdown Voltage | BVDSS |
| Drain Leakage Current | IDSS |
| Gate Leakage Current | IGSS |
| Gate Threshold Voltage | VGS(th) |
| Drain to Source On Resistance | RDS(on) |
| Drain to Source On Voltage | VDS(on) |
| Body Diode Forward Voltage | VSD |
| Internal Gate Resistance | Rg |
| Input capacitance | Cies |
| Output capacitance | Coes |
| Reverse transfer capacitance | Cres |
| Transconductance | gfs |
| Gate to Source Plateau Voltage | Vgs(pl) |
| 动态参数 | 符号 |
| Turn-on delay time | td(on) |
| Rise time | tr |
| Turn-off delay time | td(off) |
| Fall time | tf |
| Turn-on energy | Eon |
| Turn-off energy | Eoff |
| Diode reverse recovery time | trr |
| Diode reverse recovery charge | Qrr |
| Diode peak reverse recovery current | Irrm |
| Diode peak rate of fall of reverse recovery current |
dirr/dt |
| Total gate charge | QG |
| Gate-Emitter charge | QGC |
| Gate-Collector charge | QGE |
| 其他参数 | 符号 |
| thermal resistance | Rth |
| Unclamped Inductive Switching | UIS |
| Reverse biased safe operating area | RBSOA |
| Short circuit safe operation area | SCSOA |
功率器件参数测试信息由广州广电计量检测股份有限公司为您提供，如您想了解更多关于功率器件参数测试报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。
注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途
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