IGBT及第三代半导体器件全参数测试

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广电计量专家团队深入解读IGBT测试相关标准，建立功率模块可靠性验证技术能力，可以为功率半导体产业上下游企业提供具有权威性的GBT及第三代半导体器件全参数测试验证报告。

服务范围

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半导体器件等分立器件，以及上述元件构成的功率模块。

检测标准

l AEC-Q101分立器件认证

l MIL-STD-750半导体器件试验⽅法

l IEC60747系列SemiconductorDevices,DiscreteDevices

l GB/T29332半导体器件-分立器件-第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

l AQG324功率模块⻋规认证

检测项目

试验类型	试验项⽬
静态参数	BVDSS、IDSS、IGSS、VGS(th)、RDS(on)、VDS(on)、VSD、Rg、Cies、Coes、Cres、gfs、Vgs(pl)…
动态参数	td(on)、tr、td(off)、tf、Eon、Eoff、trr、Qrr、Irrm、dirr/dt、QG、QGC、QGE…
其他参数	Rth(j-c)、Unclamped Inductive Switching、RBSOA、SCSOA…

相关资质

CNAS

服务背景

功率器件在新能源汽车、智能电网等领域有广泛应用，其中，IGBT技术瓶颈不断被打破，第三代半导体功率器件也开始由实验室阶段步⼊商业应用。通常这些新型器件测试要求更⾼的电压和功率⽔平，更快的开关时间，对测试设备及人员技术要求⾼，在研发时间与成本的双重压力下，全参数测试成为不少制造商的难题。

我们的优势

广电计量积极布局新型IGBT及第三代半导体功率器件的测试业务，引进国际先进的测试技术，为功率半导体产业上下游企业提供器件全参数检测服务。同时，广电计量通过构筑检测认证与分析⼀体化平台，为客⼾提供器件可靠性验证及失效分析，帮助客户分析失效机理，指导产品设计及⼯艺改进。

IGBT及第三代半导体器件全参数测试信息由广州广电计量检测股份有限公司为您提供，如您想了解更多关于IGBT及第三代半导体器件全参数测试报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。