SJ 3244.1-1989
砷化镓和磷化铟材料霍尔迁移率和载流子浓度的测量方法

Methods of measurement for hall mobility and carrier concentration of Gallium arsenide and Indium phosphide

2010-02

标准号
SJ 3244.1-1989
发布
1989年
发布单位
行业标准-电子
当前最新
SJ 3244.1-1989
 
 
适用范围
本标准规定了砷化镓和磷化铟材料霍尔迁移率和载流子浓度的测量原理,测量步骤,试验结果的讣算,精度。 本标准适用于电阻牢小于10^(4)Ωcm的砷化镓和磷化铟材料(包括半绝缘衬底上生长的砷化镓外延层)霍尔迁移率和载流子浓度的测量。也适用于其它半导体材料的测量。由于霍尔迁移率是由霍尔系数和电阻率汁算出来的,所以本标准又适用于这两个参数的单个测量。

SJ 3244.1-1989相似标准


推荐

浅析适用于射频微波等高频电路半导体材料及工艺 -1

磷化 InP 磷化是继硅之后又一重要Ⅲ一 V 族化合物半导体材料,几乎在与锗、硅等第一代元素半导体材料发展研究同时,科学工作者对化合物半导体材料也开始了大量探索工作。    磷化(InP)作为一种新型半绝缘晶片,它出现对于改善提高 InP 基微电子器件性能具有重要意义。...

体效应二极管振荡器

  磷化材料薄层具有负阻特性,因而无需P-N结就可以产生微波振荡。它工作原理与通常由P-N结组成半导体器件不同,它不是利用载流子在P-N结中运动特性,而是利用载流子在半导体体内运动特性,是靠材料“体”内一种物理效应工作,所以这类器件被称为体效应二极管或耿氏二极管(以发明者Gunn命名)。  在实验中观察到,若在一块N型单晶两端加上直流电压。...

M91快速霍尔测量选件登陆PPMS系统

2K温度下使用PPMS 0-9T扫场二维电子气薄膜,采用范德堡测量法横向及纵向电输运测量结果准确反应了材料整数量子霍尔效应传统直流场霍尔效应测量对于具有较高迁移率简单材料来说相对简单可靠。但伴随着载流子迁移率降低,测量难度增加,精度降低。在光伏、热电有机物等前景广阔新型半导体材料中,测量难度就增加了不少。...

在半导体物理中电子迁移率与哪些因素有关

载流子有效质量与材料有关,不同半导体中电子有不同有效质量。如硅中电子有效质量为0.5m0(m0是自由电子质量),中电子有效质量为0.07m0。空穴分重空穴轻空穴,它们具有与电子不同有效质量。半导体中载流子在低温下主要受到缺陷杂质散射,高温下主要受到由原子晶格振动产生声子散射。散射越强,迁移率越低。...


SJ 3244.1-1989 中可能用到的仪器设备





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号