磷化铟 InP 磷化铟是继硅和砷化镓之后又一重要的Ⅲ一 V 族化合物半导体材料,几乎在与锗、硅等第一代元素半导体材料的发展和研究的同时,科学工作者对化合物半导体材料也开始了大量的探索工作。 磷化铟(InP)作为一种新型半绝缘晶片,它的出现对于改善和提高 InP 基微电子器件的性能具有重要的意义。...
实验发现THG随着石墨烯掺杂浓度变大而增强,重掺石墨烯的THG、信号比未掺石墨烯的信号强30倍,图4c是在1566 nm飞秒激光器激发下器件的THG信号,外加栅压能有效地增强THG信号;图4d是FWM信号,和频FWM与掺杂浓度成正相关,差频FWM与石墨烯掺杂浓度成负相关。该研究组成员定量地分析了THG、FWM信号与掺杂的关系,对未来光学非线性效应的研究与应用提供强有力的理论支撑。...
样品包括纯硅晶片和掺有各种杂质的硅晶片,以及锗片和碲化锌、砷化镓和磷化镓的晶体。样品厚度从300微米至仅4或7微米(这还不到人类一根头发的厚度)。来自NIST PML的Robert Thurber(几十年来他一直都在使用传统的方法来测量晶体)对每个样品进行了测试,他利用的是霍尔技术。然后,他将这些样品送到Heilweil的实验室,用太赫兹设备进行测试。...
按照太阳电池的PCE与其S-Q极限值的接近程度,可以将太阳电池材料分为三类(图1(b)):第一类为超高效率的单晶光伏材料,其PCE超过S-Q值的75%,主要有单晶硅(同质或异质)、砷化镓和磷化铟镓。第二类为高效多晶材料,其PCE为S-Q值的50-75%,包括多晶硅、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉、钙钛矿和磷化铟。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号