找不到引用SJ 3244.4-1989 砷化镓和磷化铟材料载流子浓度剖面分布的测试方法.电化学电压电容法 的标准
二极管的分类一、按半导体材料分类二极管按其使用的材料可分为锗(Ge)二极管、硅(Si)二极管、砷化镓(GaAs)二极管、磷化镓(GaP)二极管等。二、按封装形式分类二极管按其封装形式可分为塑料二极管、玻璃二极管、金属二极管、片状二极管、无引线圆柱形二极管。三、按结构分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内。...
半导体材料的变迁:Ge(锗)、Si(硅)→→→GaAs(砷化镓)、InP(磷化铟)→→→SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)、SiGe(锗化硅)、SOI(绝缘层上覆硅) →→→碳纳米管(CNT) →→→石墨烯(Graphene)。目前功率放大器的主流工艺依然是GaAs工艺。另外,GaAs HBT,砷化镓异质结双极晶体管。...
SiGe 既拥有硅工艺的集成度、良率和成本优势,又具备第 3 到第 5 类半导体(如砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP))在速度方面的优点。只要增加金属和介质叠层来降低寄生电容和电感,就可以采用 SiGe 半导体技术集成高质量无源部件。此外,通过控制锗掺杂还可设计器件随温度的行为变化。...
半导体材料的变迁: Ge(锗)、Si(硅)→→→GaAs(砷化镓)、InP(磷化铟)→→→SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)、SiGe(锗化硅)、SOI(绝缘层上覆硅) →→→碳纳米管(CNT) →→→石墨烯(Graphene)。 目前功率放大器的主流工艺依然是 GaAs 工艺。另外,GaAs HBT,砷化镓异质结双极晶体管。...
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