SJ 20016-1992
半导体分立器件GP、GT和GCT级3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管.详细规范

Semiconductor discrete device.Detail specification for NPN silicon low-power hiht-reverse-voltage transistor for type 3DG182GP、GT and GCT classes


标准号
SJ 20016-1992
发布
1992年
发布单位
行业标准-电子
当前最新
SJ 20016-1992
 
 

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