半导体分立器件GP、GT和GCT级3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管.详细规范 是非强制性国家标准,您可以免费下载预览页
但它可以实现较多的晶体管并联,导通的大电流,因此被用于低电压和大电流的工作环境。3、IGBT IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。...
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