多材料体系的混合集成光源是行业发展的核心方向,以下方案备受关注:Flip-Chip混合集成、异质键合以及硅基异质外延。微系统所硅光团队深耕硅光Flip-Chip光源领域,在集成芯片上开展高性能的应用示范,近期合作提出结合异质集成和InAs量子点的亚波长尺寸片上光源实现方法。量子点是纳米尺度的零维结构,不仅对位错缺陷比较钝感,而且具备低阈值电流密度和高工作温度等潜在性能。 ...
多材料体系的混合集成光源是行业发展的核心方向,以下方案备受关注:Flip-Chip混合集成、异质键合以及硅基异质外延。微系统所硅光团队深耕硅光Flip-Chip光源领域,在集成芯片上开展高性能的应用示范,近期合作提出结合异质集成和InAs量子点的亚波长尺寸片上光源实现方法。量子点是纳米尺度的零维结构,不仅对位错缺陷比较钝感,而且具备低阈值电流密度和高工作温度等潜在性能。 ...
176. stacking fault:堆垛层错,原子普通堆积规律的背离产生的2次空间错误。177. steam bath:蒸汽浴,一个大气压下,流动蒸汽或其他温度热源的暴光。178. step response time:瞬态特性时间,大多数流量控制器实验中,普通变化时段到气流刚 到达特定地带的那个时刻之间的时间。...
首先石墨烯能与下方的GaAs衬底结合,其较弱的范德华势又恰恰允许衬底和外延层间的相互作用。因此,仅使用常规的金属有机气相外延法,就能实现GaAs、InP和GaP单晶的同质外延生长,单晶取向一致,无扭转角。在一个有趣的实验中,当夹层从单层石墨烯(厚度小于9埃)变成2层或4层时,同样的条件只能生长出不平滑且无序的多晶,这说明较厚的石墨烯夹层隔断了基底对于外延层生长的导向作用。...
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