SJ 2757-1987
重掺半导体载流子浓度的红外反射测试方法
Method of measurement by infra-red reflection for charge carrier concentraiton of heavily doped semiconductors
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梳理--提升石墨烯器件性能的方法
实验发现THG随着石墨烯掺杂浓度变大而增强，重掺石墨烯的THG、信号比未掺石墨烯的信号强30倍，图4c是在1566 nm飞秒激光器激发下器件的THG信号，外加栅压能有效地增强THG信号；图4d是FWM信号，和频FWM与掺杂浓度成正相关，差频FWM与石墨烯掺杂浓度成负相关。该研究组成员定量地分析了THG、FWM信号与掺杂的关系，对未来光学非线性效应的研究与应用提供强有力的理论支撑。...
【材料】基于局域等离子体氧化技术实现“物理纯平”的掺铝氧化锌的超表面结构
透明导电氧化物（Transparent Conductive Oxides, TCOs）例如掺铟氧化锡（Indium-doped Tin Oxide, ITO）和AZO是一种宽带隙掺杂半导体，载流子浓度大概范围为1019~1021cm-3, 在可见波段性质具有很高的透射率，而在红外波段性质类似于金属。TCOs已经广泛应用于平板显示以及光伏发电等领域。...