砷斑法2019/11/184GB/T 37211.2-2018金属锗化学分析方法 第2部分:铝、铁、铜、镍、铅、钙、镁、钴、铟、锌含量的测定 电感耦合等离子体质谱法2019/11/185GB/T 37212-2018新风空调设备通用技术条件2019/11/186GB/T 37213-2018硅晶锭尺寸的测定 激光法2019/11/187GB/T 37214-2018陶瓷外墙砖通用技术要求2019/...
碳化硅微粉在高温下升华形成气相的Si2C、SiC2、Si等物质,在温度梯度驱动下到达温度较低的籽晶处,并在其上结晶形成圆柱状碳化硅晶锭。3、晶锭加工:将制得的碳化硅晶锭使用X射线单晶定向仪进行定向,之后磨平、滚磨,加工成标准直径尺寸的碳化硅晶体。4、晶体切割:使用多线切割设备,将碳化硅晶体切割成厚度不超过1mm的薄片。5、晶片研磨:通过不同颗粒粒径的金刚石研磨液将晶片研磨到所需的平整度和粗糙度。...
单晶硅制作: 因为晶体的生长一定需要有一个子晶(seed),需要沿着子晶的晶向继续生长,所以我们需要有个坩埚(Quartz Crucible)盛装要熔融的多晶硅,待多晶在坩埚中熔化后,再将子晶放入坩埚中匀速转动并且向上提拉,则熔融的硅会沿着子晶晶向长成一个圆柱体的硅锭(ingot)。这种方法就是现在一直在用的CZ法(Czochralski),也叫单晶直拉法。...
以纯度为99.9999%的多晶硅圆柱作为靶材,将激光光束照射到靶材表面直径约1 mm的区域,然后用氦气吹拂送入真空区域并收集。利用该装置制备出了直径约为2-3 nm的硅纳米晶颗粒。通过适当的表面钝化处理可以使这些硅纳米晶颗粒表现出可见光光致发光效应。激光轰击硅靶法主要的问题在于仅能调节激光功率和光斑,因而难以控制硅颗粒的尺寸,具有较大的局限性。...
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