测试时使用单色化X射线源,200微米束斑,深度剖析采用单离子模式,离子能量为2000eV High,2.9mA束流,刻蚀光斑大小为:2.5mm*2.5mm,溅射速率约为~0.085nm/s,每隔25s采集一次XPS数据,并在“Rotation”设置时分别选择0和1进行测试,对比深度剖析时样品面内旋转与不旋转两种溅射模式下的深度剖析效果。...
Ar离子源又可分为固定式和扫描式。固定式Ar离子源,将提供一个使用静电聚焦而得到的直径从125μm到mm量级变化的离子束。由于不能进行扫描剥离,对样品表面刻蚀的均匀性较差,仅用作表面清洁。对于进行深度分析用的离子源,应采用扫描式Ar离子源,提供一个可变直径(直径从35μm到mm量级)、高束流密度和可扫描的离子束,用于精确的研究和应用。...
一次离子束流密度大小是划分两种模式的主要标准。一般在S-SIMS模式下,一次离子束流被控制在1013 离子/cm2,常用飞行时间质量分析器,动态二次离子质谱就是一次离子束流高于10离子/cm2 ,常用双聚焦质量分析器。 SIMS操作模式可以分为质谱表面谱、成像模式、深度剖析等。 其中质谱模式质量分辨率最高,常用于鉴别各种材料中所含有的元素、材料中的掺杂、污染物中的成分等。...
由于溅射速率取决于被分析的元素,离子束的种类、入射角、能量和束流密度等多种因素,溅射速率数值很难确定,一般经常用溅射时间表示深度变化。界面分析用AES研究元素的界面偏聚时,首先必须暴露界面(如晶界面,相界面,颗粒和基体界面等等。一般是利用样品冲断装置,在超高真空中使试样沿界面断裂,得到新鲜的清洁断口,然后以尽量短的时间间隔,对该断口进行俄歇分析。...
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