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半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感。纯度很高的半导体材料称为本征半导体，常温下其电阻率很高，是电的不良导体。在高纯半导体材料中掺入适当杂质后，由于杂质原子提供导电载流子，使材料的电阻率大为降低。这种掺杂半导体常称为杂质半导体。杂质半导体靠导带电子导电的称N型半导体，靠价带空穴导电的称P型半导体。...
晶态和非晶态主要区别于原子排列是否具有长程序。非晶态半导体的性能控制难，随着技术的发明，非晶态半导体开始使用。这一制作工序简单，主要用于工程类，在光吸收方面有很好的效果，主要运用到太阳能电池和液晶显示屏中。 （5）本征半导体：不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。...
通过UPS能谱的测试可知h-BN:Ge-O薄膜的功函数（~ 4.1 eV）显著低于本征h-BN（~ 7 eV），证明其为n型半导体。场效应晶体管FET的器件测试同样证明了h-BN:Ge-O薄膜为n型沟道，并且计算获得其自由电子浓度达到了1.94×1016 cm-3。这是目前国际上第一次终于在超宽禁带半导体h-BN中实现有效的n型导电。...
其中应力测量技术的空间分辨率可优于20nm,为微纳尺度力学测量的发展提供了重要的方法;非接触性的局域电学性质测量技术,超越了传统电学测量方法的思想框架,实现了无外场驱动的电荷密度分布、电场分布等本征电学性质表征、以及半导体异质结构整个空间区域的能带构造;结构相的测定技术,使纳米微区材料的晶体结构相识别成为可能;半导体微区导电类型测定技术,延续了非接触性电学测量的优点,并且能够灵活地探测分析复杂光电器件结构中不同区域的导电类型分布...
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