公告显示,7月7日,双方在昆明高新区云南国家锗材料基地内举行“云南临沧鑫圆锗业股份有限公司一中国科学院半导体研究所光电半导体材料联合实验室”揭牌仪式,通过建立联合实验室开展相关合作研究和技术开发,就重点系统研究解决产业化中低成本单晶生长炉的设计和制造技术,研究开发高产能大直径低位错密度单晶生长关键工艺技术、高平整度开盒即用抛光晶片加工关键技术、光电半导体单晶片批量生产中质量和成本控制技术进行合作。 ...
经CNAS认证的第三方机构检测,深圳大学制备的高纯锗单晶达到13N纯度要求,解决了锗单晶卡脖子问题。基于深圳大学自制高纯锗单晶,由中国原子能科学研究院制备的高纯锗探测器目前已经在中国辐射防护研究院、中国船舶重工集团公司第七一九研究所与武汉大学开展了应用测试,达到国际同类制品的标准。 ...
图1 缺陷对杂质的吸收用偏光金相显微镜还可以看出单晶硅片的分布规律:边缘的缺陷密度小,中心的缺陷密度大。可以从图2和图3两幅图中明显的看出。 图2 单晶硅片中心缺陷分布 图3 单晶硅片边缘缺陷分布在实验过程中拍摄了一组比较典型的位错缺陷图片。对于位错来说,不同晶面上的位错坑的形态不一样。...
为了提高小尺寸材料的变形能力,西安交大材料学院微纳中心硕士生丁明帅,在导师单智伟教授和韩卫忠教授的指导下,借助原位纳米力学技术,通过高温氦离子注入在金属铜中形成平均尺寸为6.6纳米的高密度氦泡,随后加工出亚微米尺度试样进行力学测试,发现单晶铜内部的纳米氦泡不仅是位错的可剪切障碍物,能有效减缓位错运动,同时还是活跃的内部位错源,使变形时位错保持有效增值,进而产生更加均匀和稳定的变形。...
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