很高的能量分辨率 半导体探测器的能量分辨率比气体探测器大约高一个数量级,比闪烁计数器高得更多。这是因为在硅半导体中电离产生一对电子2空穴对(e-h)只需要3eV左右的能量,而气体中产生一对离子对所需能量大约为30eV,塑料闪烁探测器在光阴极上产生一个光电子需要的能量大约为300eV。带电粒子在硅半导体中的能量损失也很高,在硅晶体中,能量损失大约390eV/μm。...
根据探测器系统测得的带电粒子的信息,及带电粒子在各个微条上的位置参量,可以确定各有关带电粒子的运动轨迹及对撞后末态粒子的次级顶点等。根据谱仪内的磁场强度和粒子运动的轨迹可以计算出每个带电粒子的动量。 在设计、制作和使用硅微条探测器时需要考虑的一个重要原则问题是带电粒子在半导体探测器中的散射角度与探测器的厚度问题。因为半导体的密度比较大,带电粒子穿过探测器时,在探测器内部要经过多次散射。...
半导体探测器是以半导体材料为探测介质的辐射探测器。最通用的半导体材料是锗和硅,其基本原理与气体电离室相类似,故又称固体电离室。半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子-空穴对,电子-空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号。常用半导体探测器有 P-N结型半导体探测器、 锂漂移型半导体探测器和高纯锗半导体探测器。词条详细介绍了上述三种半导体探测器的原理、特点、工作条件等等。...
基本原理 半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子-空穴对,电子-空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号 [2] 。 我们把气体探测器中的电子-离子对、闪烁探测器中被 PMT第一打拿极收集的电子 及半导体探测器中的电子-空穴对统称为探测器的信息载流子。产生每个信息载流子的平均能量分别为30eV(气体探测器),300eV(闪烁探测器)和3eV(半导体探测器)。 ...
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