ISO/TTA 4:2002
硅基质上薄膜导热性的测量
Measurement of thermal conductivity of thin films on silicon substrates
- 标准号
- ISO/TTA 4:2002
- 发布
- 2002年
- 发布单位
- 国际标准化组织
- 当前最新
- ISO/TTA 4:2002
- 适用范围
- 1.1 提出了三欧米伽方法的标准程序，用于测量热导率明显大于薄膜热导率的基底上的薄电绝缘薄膜的热导率。该方法适用于硅衬底上的薄膜，具有以下特性： a)薄膜是电绝缘的； b) 薄膜的导热系数小于硅导热系数的十分之一； c) 薄膜厚度均匀，厚度在0.25μm至1μm范围内； d) 薄膜的最大尺寸受到制备和测量设备尺寸的限制； e) 薄膜的最小尺寸受到薄膜表面可放置的电路元件的最小尺寸的限制。注：尽管可以使用小至 10 毫米 × 10 毫米的样本，但大约 15 毫米 x 25 毫米的样本是合适的尺寸。
1.2 该方法直接适用于硅晶片基底上的二氧化硅薄膜。
1.3 该方法可适用于其他高导热率基板上的绝缘膜，只要用基板材料的参数代替本方法和相关计算机程序中使用的硅的参数。
1.4 本方法适用于接近室温的测量。
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