GB/T 1552-1995
硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon and germanium with a collinear four-probe array
GBT1552-1995, GB1552-1995
2010-06
- 标准号
- GB/T 1552-1995
- 别名
- GBT1552-1995, GB1552-1995
- 发布
- 1995年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 替代标准
- GB/T 1551-2009
- 当前最新
- GB/T 1551-2021
- 适用范围
- 本标准规定了用直排四探针测量硅、锗单晶电阻率的方法。 本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于控针间距的4倍的硅、锗单晶的体电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于控针间距4倍的硅、锗单晶圆片（简称圆片）的电阻率。测量范围为硅：1×10-3～3×103Ω·cm，锗：1×10-3、1×102Ω·cm。
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