JIS H 0604:1995
用光电导衰减法测量硅单晶中少数载流子的寿命

Measuring of minority-carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method

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标准号

JIS H 0604:1995

发布

1995年

发布单位

日本工业标准调查会

当前最新

JIS H 0604:1995

 

 

适用范围

この規格は，シリコン単結晶中の少数キャリアのパルク再粘合ライフタイム（以下，パルクライフタイム又はτBという。）を直流回路を用いた光導電減衰法によって測定する方法について規定する。なお，測定する単結晶は均一な組成をもち，抵抗率がlΩ·cm以上のものとする。

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