半导体产业发展至今经历了三个阶段:硅材料,砷化镓材料,再到以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体(Wide bandgap semiconductor)。第一代半导体材料以硅为代表,引发了集成电路(IC)为核心的微电子领域迅速发展。第二代半导体材料以砷化镓为代表,使半导体材料的应用进入光电子领域,尤其是在红外激光器和高亮度的红光二极管等方面。...
[建]悬臂cantilever paddle 悬臂桨cap oxide 掩蔽氧化层capacitance 电容capacitance-voltage test(C-Vtest) 电容-电压测试capacitive coupled plasma 电容偶合等离子体capacitor 电容器 carbon tetrafluoride(CF4) 四氟化碳caro’s...
但是C-V法既可以测量同型低阻衬底上外延材料的分布,也可测量高阻衬底用异型层的外延材料的分布。 Hall测量在半导体材料测量中,霍尔效应有着广泛的应用。用它来研究半导体材料导电过程或输 运现象。可提供材料的导电类型、载流子浓度、杂质电离能(包括深、浅能级杂质)、 禁带宽度、迁移率及杂质补偿度等信息。...
②采用浅结高浓度扩散或离子注入,以得到小的基极电阻,又能减薄基区,从而缩短少子在基区的渡越时间,提高工作频率。③采用多发射极单元分散的结构,适当减薄外延层和衬底厚度,以减小热阻。器件的主要结构形式有梳状、覆盖式、网状及菱形等。④采用电迁徙小、能承受大电流密度、欧姆接触电阻小的多层难熔金属化系统(如铂钛铂金、钨钛金、铂钼金等)。⑤为了提高抗电压驻波比能力、防止二次击穿,通常在发射极串联一个镇流电阻。...
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