地面模拟实验中离子临界射程一直是国内外单粒子效应加速器实验中的重要参数,尤其是近年来随着国内单粒子效应加速器模拟实验的大量开展,对该问题机理的研究迫在眉睫。国外的多个测试标准对离子临界射程的规定不一致,国内航天标准QJ 10005-2008指出,离子在硅中的射程要大于30 μm。 ...
宇航用半导体器件单粒子效应脉冲激光试验测试方法制订2021-11-2411空间环境 宇航用半导体器件在轨单粒子事件率预计模型选用指南制订2021-11-2412工业通风机 风机振动测量方法制订2021-11-2413多目拼接全景成像设备光学性能测试方法制订2021-11-2414表面化学分析 辉光放电发射光谱方法通则修订2021-11-2415半导体器件 第19-1部分智能传感器 智能传感器的控制方案制订...
Lett. 120, 012301(2018)https://journals.aps.org/prl/pdf/10.1103/PhysRevLett.120.012301超高能相对论重离子碰撞中的集体纵向极化在相对论流体动力学框架下,作者研究了超高能相对论重离子碰撞中沿着束流方向的粒子极化。...
它和类双极主导电沟道的MOSFET的结构类似。它们一般用于漏源电压范围在200-3000伏的运行。功率MOSFET仍然被选择为漏源电压在1到200伏时的器件. ISFET是离子敏感的场效应晶体管(Ion-Sensitive Field Effect Transistor),它用来测量溶液中的离子浓度。当离子浓度(例如pH值)改变,通过晶体管的电流将相应的改变。 ...
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