GB/T 11073-2007
硅片径向电阻率变化的测量方法

Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices


GB/T 11073-2007 中,可能用到以下仪器

 

Gatan原位加热台Murano 525

Gatan原位加热台Murano 525

北京欧波同光学技术有限公司

 

GB/T 11073-2007



标准号
GB/T 11073-2007
发布日期
2007年09月11日
实施日期
2008年02月01日
废止日期
中国标准分类号
H17
国际标准分类号
77.040.01
发布单位
CN-GB
引用标准
GB/T 1552 GB/T 2828 GB/T 6618-1995 GB/T 12965
被代替标准
GB/T 11073-1989
适用范围
本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。 本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1X10¯³Ω·cm~3×10³ Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。

GB/T 11073-2007系列标准


GB/T 11073-2007 中可能用到的仪器设备


谁引用了GB/T 11073-2007 更多引用





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