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自1971年英特尔4004微处理器发布以来,金属氧化物半导体(MOS)晶体管的体积缩小了大约1/1 000,而单块芯片上的晶体管数量增加了约1 500万倍。衡量这种集成密度上的极大进步的指标主要是尺寸,即金属半节距和栅极长度。在很长一段时间里,它们的数字都差不多。金属半节距是芯片上从一个金属互连开始到下一个金属互连开始的距离的一半。...
所有的这些技术都能够让我们把一块数字互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片与外部的模拟世界直接连接起来。如果新的传感器和驱动器能够充分利用硅晶加工中极为常见的低成本大批量生产工艺,这将会产生巨大的经济影响。然而,从经济角度而言,这个摩尔定律再次发挥作用的新阶段——我将其称为摩尔定律3.0,而半导体业界则称之为“扩展摩尔定律”——却可能没什么意义。...
8 in硅片主要应用于90 nm以上制程范围的模拟电路、功率芯片、互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器、微控制器、射频前端芯片、嵌入式存储器等芯片,应用场景包括微机电系统、电源管理、汽车电子、工业控制、物联网等领域(见表1)。...
一是延续摩尔(More Moore)定律,采用新器件、新工艺、新材料等实现技术节点的持续微缩,这是先进逻辑技术和先进存储技术的主要发展路径;二是扩展摩尔(More than Moore)定律,引入嵌入式工艺或三维集成等多重技术创新应用,在产品功能多元化(功耗、带宽等)的需求下,将硅基互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS)和非...
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