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图5、激光辐照调控金属化合物的结构缺陷(A-C)氮掺杂SnO2粉体的激光诱导大规模制备装置及产物的结构表征;(D,E)激光诱导定位掺杂MoS2纳米片;(F,G)激光诱导合成富含氧空位的Co3O4纳米粒子。...
(a)使用MicroWriter ML3无掩膜光刻机制备的环形振荡器和(b)相应的实验结果。(c)通过MicroWriter ML3制备的基于MoS2 FETs制备的存储阵列和(d-f)相应的实验结果。(g)利用MicroWriter ML3制备的光电电路和(h-i)相应的表现结果。图7. 使用小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3在晶圆上制备MoS2场效应管。...
;揭示MoS2场效应晶体管的边缘状态和电不均匀性。...
其中,H部主要集中在H04L、H04B,其中具有H04L的专利申请量为2646 件,占量子通信领域专利总申请量的62.5%;G部主要集中在G06F、G02F、G06N、G02B。需要特别指出的是:IPC中有一个和量子通信相关的分类号:H04B10/70,即光子量子通信。...
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