ASTM F576-00
用椭圆对称法测量硅衬底上绝缘体厚度及折射指数的标准试验方法
Standard Test Method for Measurement of Insulator Thickness and Refractive Index on Silicon Substrates by Ellipsometry
- 标准号
- ASTM F576-00
- 发布
- 2000年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 替代标准
- ASTM F576-01
- 当前最新
- ASTM F576-01
- 引用标准
- ASTM C31/C31M ASTM D5127 ASTM E177 ASTM E284 ASTM F95
- 适用范围
- 1.1 本测试方法涵盖通过椭圆光度法测量在硅基板上生长或沉积的绝缘体的厚度和折射率。
1.2 本测试方法使用单色光。
1.3 本测试方法是非破坏性的，可用于测量厚度和折射率。任何基材上不吸收测量波长下的光的任何薄膜的折射率 (1) 对测量波长下的光不透明，以及 (2) 在测量波长下折射率和吸收系数均已知的材料。
1.4 该测试方法的精度会因小于光束光斑尺寸的区域、基板平整度、绝缘体厚度和折射率的变化而降低。
1.5 通过椭圆光度法确定的薄膜厚度测量并不是唯一的。当膜厚大于N/[2(n 2 sin 20)1/2]计算值时，其中N为整数，测量波长，n为折射率，0为入射角，由该表达式确定的厚度值必须与由椭圆光度法确定的厚度值相加才能获得正确的薄膜厚度。 N 的值必须通过另一个过程获得。
1.6 提供了两种计算结果的程序。如果使用图形程序，测量波长应为 546.1 或 632.8 nm，入射角应为 70 177 0.1o.1.7 本测试方法可用于计算机计算的裁判测量。
1.8 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。具体危险说明见第 9 节。
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