GB/T 6617-2009
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe


GB/T 6617-2009 中,可能用到以下仪器

 

电子探针EPMA-1720系列

电子探针EPMA-1720系列

岛津企业管理(中国)有限公司/岛津(香港)有限公司

 

EPMA-8050G电子探针显微分析仪

EPMA-8050G电子探针显微分析仪

岛津企业管理(中国)有限公司/岛津(香港)有限公司

 

美国 Cascade M150探针台

美国 Cascade M150探针台

上海纳腾仪器有限公司

 

GB/T 6617-2009



标准号
GB/T 6617-2009
发布日期
2009年10月30日
实施日期
2010年06月01日
废止日期
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
发布单位
CN-GB
引用标准
GB/T 1550 GB/T 1552 GB/T 1555 GB/T 14847
被代替标准
GB/T 6617-1995
适用范围
本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。 本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层 的电阻率,测量范围:10-3Ω·cm~102 Ω·cm。

GB/T 6617-2009系列标准


GB/T 6617-2009 中可能用到的仪器设备


谁引用了GB/T 6617-2009 更多引用





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