GB/T 6617-2009
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe


标准号
GB/T 6617-2009
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
废止日期
中国标准分类号
H80
国际标准分类号
29.045
发布单位
CN-GB
引用标准
GB/T 1550 GB/T 1552 GB/T 1555 GB/T 14847
被代替标准
GB/T 6617-1995
适用范围
本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。 本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层 的电阻率,测量范围:10-3Ω·cm~102 Ω·cm。

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