GB/T 6617-2009
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe

GBT6617-2009, GB6617-2009


标准号
GB/T 6617-2009
别名
GBT6617-2009, GB6617-2009
发布
2009年
发布单位
国家质检总局
当前最新
GB/T 6617-2009
 
 
引用标准
GB/T 14847 GB/T 1550 GB/T 1552 GB/T 1555
被代替标准
GB/T 6617-1995
适用范围
本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。 本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层 的电阻率,测量范围:10-3Ω·cm~102 Ω·cm。

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